source是什么开关

意法半导体针对汽车市场推出了全新的高压N沟道功率MOSFET系列。新产品已通过AEC-Q101汽车测试认证，其采用的MDmeshTM DM2超结制造工艺具有出色的性能。该系列包括击穿电压范围从400V至650V的产品，提供了D2PAK、TO-220及TO-247三种封装形式。

在市场竞争中，我们的新产品展现了强大的优势。其中，400V和500V的产品是市场上首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET。而我们的600V和650V产品的性能更是超越了现有的竞争对手。这一系列的产品都是专为汽车应用设计的，集成了快速恢复体二极管，拥有更高的换向行为恢复软度系数和gate-source zener二极管保护功能。这使得它成为全桥零压开关拓扑的理想选择。

意法半导体的新型汽车功率MOSFET在行业中具有卓越的性能表现。其反向恢复时间（Trr）和反向恢复电荷（Qrr）比值、恢复软度系数以及高电流关断能量（Eoff）都是市场上的佼佼者，有助于提高汽车电源的能效。其内部的快速体二极管表现出色，有助于降低EMI电磁干扰，使设计师能够使用更小的被动滤波器件。

MDmeshTM DM2技术的运用使得电源设计更加环保，能耗更低，从而实现了能效的最大化以及终端产品尺寸的最小化。这款新产品的主要特性还包括：快速恢复体二极管、极低的栅电荷量和输入电容、低导通电阻、超短的Trr反向恢复时间以及栅源齐纳二极管保护。