二元化合物的命名方法


芯东西(公众号:智芯播报)

编译整理 | 恩

芯东西讯,据比利时微电子研究中心(IMEC)近日公布的实验研究,他们在硅芯片技术采用更先进的1nm工艺技术的开发中,已经探索出了金属互连领域的新路径,有效地解决了因芯片技术进展迅速所带来的互连问题。该研究成果在今年的国际互连技术会议(IITC 2021)上公布。

一、IMEC发现低电阻率新材料

IMEC的研究团队发现了一种基于铝的二元化合物,它们是一类拥有更低电阻率的新材料。在特定状态下,如AlCu和Al2Cu薄膜的电阻率可以低至惊人的9.5cm。实验结果表明,这些新材料有可能被应用在先进的半镶嵌互连集成方案中作为新的导体使用。尽管这些材料在与气隙结合后能够提高性能,但同时也带来了更大的焦耳热效应挑战。在缩小至1nm及以下的技术路线中,新的导体材料的引入是必须的,而IMEC发现的铝和钌(Ru)等具有低于传统铜、钴或钼等金属电阻率的新型材料可能会大幅度提升芯片性能。值得一提的是,这些铝化物薄膜的电阻率在厚度达到20nm及以上时,表现出了与传统钼相当的或者更低的电阻率。特别是28nm厚的AlCu和Al2Cu薄膜更是达到了惊人的低电阻率水平。在实验过程中也发现了控制薄膜状态以防止表面氧化是一大技术挑战。未来如何将这项技术运用到实际的半导造工艺中去还有待研究者和工程师们继续探索和挑战。

二、金属密度对抗焦耳热效应