2mb每秒一小时能下多少（2015IT行业年度大观察内存存储技术及产品回顾）
回顾内存与存储技术的革新：从DDR4到U 3.1及更多
随着科技的飞速发展，2015年无疑是内存与存储技术领域取得重大突破的一年。从DDR4内存的成熟到U 3.1的广泛应用，这一年里我们看到了存储技术的突飞猛进。
让我们回顾一下内存技术的重要进展。在内存领域，DDR4内存无疑是最大的亮点。凭借Bank Group、点对点总线技术、更先进的生产工艺与更低的电压，DDR4内存显著超越了DDR3内存的性能与能耗表现。尽管初期由于高昂的价格，DDR4内存的用户相对较少，但在2015年，随着英特尔Skylake处理器的推出和各大厂商纷纷上马DDR4生产线，DDR4内存的价格迎来了显著下降。
技术上，虽然DDR4内存的核心架构相较于前代产品并无显著变化，但在细节方面，它仍迎来了小幅升级。部分高频DDR4内存产品上的颗粒采用了先进的生产工艺制造，进一步控制了能耗和量，提升了超频潜力。年末时，我们甚至迎来了DDR4 3600、DDR4 3800甚至DDR4 4000等高频率内存的亮相。
在存储技术方面，这一年也取得了惊人的进展。随着PCI-E 3.0标准在主板上的广泛应用，以及支持NVMe和PCI-E 3.0 x4技术规范的固态硬盘的推出，存储设备性能获得了极大的提升。如英特尔750系列等高端固态硬盘的连续传输速度已突破2GB/s，随机4KB QD64的读写速度也轻松突破30万IOPS。移动存储设备的性能也在这一年里获得了显著提升，U 3.1接口的出现为移动设备带来了更高的传输速度。
除了高性能的固态硬盘，其他存储设备也在2015年取得了显著进展。例如，闪迪推出的多种形态移动存储设备，包括至尊高速OTG U 3.0闪存盘、专为iOS设备设计的欢欣i享闪存盘等，都为用户提供了更加便捷的数据存储和共享体验。随着智能手机和平板电脑的普及，配套移动存储设备也获得了很大发展。多形态、多接口、跨平台的移动存储设备为用户带来了更多的选择和便利。
