220v接发光二极管电阻是多少(高压二极管的正向电阻和反向电阻)

正向电阻是二极管在正向导通时,正负极之间的电阻值。这个电阻值相对较小。
反向电阻则是二极管处于反向偏置状态且未被击穿时的电阻值,这个电阻值相对较大。正向和反向电阻的大小是相对的,具体来说,反向电阻的值通常远远大于正向电阻的值,而且二极管的性能往往要求反向电阻越大越好。
对于高压二极管来说,其正向电阻实际上就是正向压降的表现。
正向压降指的是在规定的正向电流下,二极管的正向电压降低的值,这是二极管能够导通的最小正向电压。在中小电流水平下,小电流硅二极管的正向压降约为0.6~0.8V,锗二极管约为0.2~0.3V。而对于大功率的硅二极管,其正向压降可能会达到1V。
对于二极管的伏安特性,更多人了解其PN结的伏安特性,即PN结的压降与正向电流的关系呈现对数关系。在小电流情况下,这种关系比较准确,但随着电流的增大,需要考虑二极管的其他电阻分量的压降,如半导体材料的体电阻、封装绑定线的电阻及引脚的电阻等。这些因素在大电流情况下对二极管的总压降有明显影响。
二极管的正向特性与反向特性分别在伏安特性曲线上表现为u>0和u
锗材料二极管的正向电阻约为1k,反向电阻约为300m;硅材料二极管的正向电阻约为5k,反向电阻则很大但并非无穷大。实际上,二极管的单向导电特性要求正向电阻越小越好,而反向电阻则越大越好。正、反向电阻值之间的差异越大,说明二极管的单向导电性能越好。
在电子技术中,二极管的应用正是基于其单向导电的特性。当正向电阻越小,导电能力越强;反之,反向电阻越大,导电能力越弱。我们称电流能够通过的状态为正向,不能通过的状态为反向。电阻是导体对电流的阻碍作用,电阻越大,对电流的阻碍作用越大,导电能力就越弱。对于二极管来说,其特性要求就是单向导电性,因此要求反向电阻越大越好。
